特許

J-GLOBAL ID：200903092812024288

電子デバイス、その製造方法およびプラズマプロセス装置

発明者： 宮崎 篤 ,  波多野 晃継 ,  酒井 道
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348303
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158839
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】低い被処理基板温度においても、高品質膜を実現し、高いガス解離効率にて成膜する。【解決手段】被処理基板4にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置は、被処理基板4が内部に載置される処理室5と、処理室5内にガスを導入するガス導入口6と、処理室5内に設けられたプラズマ放電発生部15とを備える。プラズマ放電発生部15は、第1電極2aと、第1電極2aよりも被処理基板4に近接して設けられた第2電極2bとを有している。第1電極2aおよび第2電極2bは、被処理基板4の法線方向から視認できる面のみがプラズマ放電面として機能する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、 前記被処理基板が内部に載置される処理室と、 前記処理室内にガスを導入するガス導入口と、 前記処理室内に設けられたプラズマ放電発生部とを備え、 前記プラズマ放電発生部は、第1電極と、前記第1電極よりも前記被処理基板に近接して設けられた第2電極とを有しており、 前記第1電極および前記第2電極は、前記被処理基板の法線方向から視認できる面のみがプラズマ放電面として機能する、プラズマプロセス装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/505

FI (2件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/505

Fターム (27件)：

3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EC01 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12

引用特許：

出願人引用 (5件)

• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363082   出願人：田中栄
• 特開平1-279761号公報(第3〜4頁の「作用」の欄、図1)
  
• 薄膜形成用プラズマ成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-009963   出願人：シャープ株式会社
• プラズマ成膜装置およびそれを用いた成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005948   出願人：シャープ株式会社
• プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068642   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 沿面放電を用いた表面処理装置及びその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-353804   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-210798