特許
J-GLOBAL ID：200903092853006480

薄膜光電変換素子

発明者：
吉田 隆

吉田 隆 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322501
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163512
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】少なくとも一つのpn接合、またはpin接合を持つ薄膜光電変換素子において、高温、高湿サイクル試験等における金属電極の剥離を防止する。【解決手段】ポリイミドの基板1上に、銀電極2、酸化インジウム亜鉛層(ZnX1InY OZ ただしX1+Y=1、Zは必ずしも1ではない)3、酸化亜鉛層4、n型a-Si層6、ノンドープa-Si層7、p型a-Si層8、透明電極9を積層し、銀電極2および透明電極9上に、それぞれ取り出し電極5、グリッド電極10を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つのpn接合を持つ薄膜光電変換素子において、光電変換層である半導体層の光の入射する側と反対側の電極構造を、半導体層側から酸化インジウム亜鉛層(ZnX1InY OZ ただしX1+Y=1、Zは必ずしも1ではない)、金属電極とすることを特徴とする薄膜光電変換素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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