特許

J-GLOBAL ID：200903092955598234

記憶装置

発明者： 石田 実 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149592
公開番号（公開出願番号）：特開2004-355676
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】本発明は、情報の記録が連続して行われても、記録動作が何ら制限なく良好に行われる記憶装置を提供する。【解決手段】記憶素子と、記憶素子に電圧を印加する印加手段とを有し、記憶素子に、印加手段により電圧が印加されることにより、記憶素子の特性が変化して、情報の記録が行われ、同一の情報の記録が連続して行われると、記憶素子の特性がさらに変化する構成の記憶装置であって、情報の記録が行われる際に、既に記憶素子に記録されている情報の内容が検出され、記憶素子に記録されている情報と、記憶素子に記録すべき情報とを比較して、両者の情報が異なる場合には電圧が印加されて通常の情報の記録過程が行われ、両者の情報が同一である場合には通常の情報の記録過程が行われない記憶装置を構成する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

記憶素子と、 前記記憶素子に電圧を印加する印加手段とを有し、 前記記憶素子に、前記印加手段により電圧が印加されることにより、前記記憶素子の特性が変化して、情報の記録が行われ、 同一の前記情報の記録が連続して行われると、前記記憶素子の特性がさらに変化する構成の記憶装置であって、 前記情報の記録が行われる際に、既に前記記憶素子に記録されている情報の内容が検出され、 前記記憶素子に記録されている情報と、前記記憶素子に記録すべき情報とを比較して、両者の情報が異なる場合には前記電圧が印加されて通常の情報の記録過程が行われ、両者の情報が同一である場合には前記通常の情報の記録過程が行われない ことを特徴とする記憶装置。

IPC (2件)：

G11C13/00 ,  H01L27/10

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 451

Fターム (6件)：

5F083EP18 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA01 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性メモリ書き込み装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-111474   出願人：松下電器産業株式会社
• 不揮発性メモリとそのベリファイ方法、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-133689   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体メモリ装置およびその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-324329   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018645   出願人：シャープ株式会社