特許
J-GLOBAL ID：200903092961759495
半導体装置の製造方法及びその構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-267997
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101195
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板等の六方晶系基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層からなる半導体装置において、基板の切断を容易にし、半導体層の劈開を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板等の六方晶系基板上に窒化物半導体層からなる半導体素子を形成して各半導体素子に分割する場合、サファイア基板の裏面に窒化金属薄膜を設けることにより、任意の方向にサファイア基板を容易に切断できる。サファイア基板上に形成された半導体層の劈開方向に合わせて基板の切断方向を選択する。
請求項（抜粋）：
六方晶系の単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体層を積層成長し、該半導体層上に電極を形成して複数の半導体素子とし、該単結晶基板を切断して各半導体素子に分割する半導体装置の製造方法であって、上記単結晶基板の裏面上に金属薄膜を形成し、該金属薄膜を窒化して窒化金属薄膜とし、該窒化金属薄膜側から該単結晶基板に達するスクライブラインを形成し、該スクライブラインに沿って該単結晶基板及び該半導体層を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S 3/18 673
, H01L 21/78 U
, H01L 21/78 Q
5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA34
