シリコンカーバイド結晶膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251588
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087232
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】基板温度を低温にして熱歪みによる欠陥を生じさせず、高速成膜で結晶性の良好なシリコンカーバイド結晶膜を形成する。【解決手段】ホローカソード7の内壁にコーティングしたシリコンカーバイドターゲット11を、放電ガス12をプラズマ13化して生じた正イオンでスパッタリングし、該放電ガス12の流れによって前記スパッタリングされたシリコンカーバイド分子を基板1に供給し、該基板上にシリコンカーバイド結晶膜を成長形成する。

請求項（抜粋）：

ホローカソード内壁にコーティングしたシリコンカーバイドターゲットを、放電ガスをプラズマ化して生じたイオンでスパッタリングし、該放電ガスの流れによって前記スパッタリングされたシリコンカーバイド分子を基板に供給し、シリコンカーバイド結晶膜を該基板上に形成することを特徴とするシリコンカーバイド結晶膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C30B 29/36 , H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 S , C23C 14/34 A , C30B 29/36 A , H01L 21/203 S

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DA12 , 4G077EA02 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SB03 , 4G077TC06 , 4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029BA56 , 4K029DA08 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029EA05 , 4K029EA06 , 5F103AA08 , 5F103BB17 , 5F103BB22 , 5F103BB42 , 5F103DD17 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103NN06 , 5F103RR01 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (6件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-109860 出願人：株式会社島津製作所
炭化珪素膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-023963 出願人：ホーヤ株式会社
特開昭60-181270

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