特許
J-GLOBAL ID：200903093079117823
電子素子用基板とその製造方法並びに電子素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349842
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152162
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 簡単な工程で基板の厚み方向の導電性を得ることができ、熱歪みも少なく、基板表裏間の気密性も確保することができる電子素子用基板を提供する。【解決手段】 ガラス板等の絶縁性の基板11に、所定の電極形状に形成されたシリコン等の半導体薄板20が積層され、基板11の半導体薄板20の積層面とは反対側から半導体薄板20に達する複数の透孔12が形成されている。基板11の裏面側に透孔12内及び半導体薄板20に接する裏面電極16が形成されている。半導体薄板20には、気密状態で加速度センサ22が設けられる。
請求項（抜粋）：
絶縁性の基板に所定の電極形状の半導体薄板が積層され、上記基板の上記半導体薄板の積層面とは反対側から上記半導体薄板に達する透孔が形成され、上記基板の裏面側に上記透孔内及び上記半導体薄板に接する裏面電極が形成されたことを特徴とする電子素子用基板。
IPC (3件)：
H01L 25/16
, G01P 15/08
, H01L 23/12
H01L 25/16 A
, H01L 23/12 F
, G01P 15/08 P
