特許
J-GLOBAL ID：200903093093041651
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 崇生 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020395
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184801
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程で支障を来たしにくい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 耐熱性粘着テープ20を貼り合わせた金属製のリードフレーム10のダイパッド11c上に半導体チップ15をボンディングする搭載工程と、前記リードフレーム10の端子部11b先端と電極パッド15aとをボンディングワイヤ16で電気的に接続する結線工程と、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物21を個別の半導体装置21aに切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープ20は、50〜250°Cにおける線熱膨張係数1. 0×10-5〜3. 0×10-5/Kの基材層と、厚さ10μm以下の粘着剤層とから構成されている。
請求項（抜粋）：
アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープは、50〜250°Cにおける線熱膨張係数1. 0×10-5〜3. 0×10-5/Kの基材層と、厚さ10μm以下の粘着剤層とから構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/50 R
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB12
, 5F061EA03
, 5F067AA09
, 5F067AB04
, 5F067CC01
, 5F067CC08
, 5F067DE14
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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