特許

J-GLOBAL ID：200903093104014821

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 高山 徹 ,  今藤 修 ,  粂 雅博 ,  吉川 昭男 ,  内藤 浩樹
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190054
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008414
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】 光ディスクの光源として用いる、非点隔差が小さく低雑音で低出力から高出力まで横モードの安定な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型のGaAsよりなる半導体基板1の上に、n型のGaAsよりなるバッファ層2、n型のGa0.45Al0.55Asよりなる第1クラッド層3、Ga0.85Al0.15Asよりなる活性層4、p型のGa0.45Al0.55Asよりなる第1光ガイド層5、p型のGa0.8 Al0.2 Asよりなる第2光ガイド層6が形成されている。第2の光ガイド層6の上には、共振器方向に対して不連続なp型のGa0.45Al0.55Asよりなるストライプ領域7aが形成されていると共にストライプ領域7aの両側にはn型のGa0.3 Al0.7 Asよりなる電流ブロック層7が形成されている。ストライプ領域7a及び電流ブロック層7の上にはp型のGa0.45Al0.55Asよりなる第2クラッド層8が形成され、第2クラッド層8の上にはp型のGaAsよりなるコンタクト層9が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体層よりなる活性層と、該活性層の上に形成された第1導電型の半導体層よりなる光ガイド層と、該光ガイド層の上に形成された第1導電型の半導体層よりなるストライプ領域と、前記光ガイド層の上における前記ストライプ領域の両側に形成された第2導電型の電流ブロック層とを備えた半導体レーザ装置において、前記ストライプ領域は、共振器方向に対して少なくとも1か所の不連続部を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331498   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106289   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-231699   出願人：ローム株式会社
• 特開昭63-124489