特許
J-GLOBAL ID：200903093104281323
電界電子放出素子の製造方法および電界電子放出素子、ならびに表示装置の製造方法および表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003773
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265600
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】筒状炭素分子がより微細な間隔で規則正しく配列された陰極を有し、高精細なFED等の製造に好適な電界電子放出素子およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】電界電子放出素子が形成されたカソードパネル20と、蛍光体膜33R,33G,33Bが形成されたアノードパネル30とが対向配置されている。カソードパネル20の電界電子放出素子は、基板15の上に所望のパターンで配置されたカーボンナノチューブ16を有する陰極17を備えている。カーボンナノチューブ16は、シリコン(Si)などの半導体からなる第1の物質中に、触媒として鉄(Fe)を含む素材基板10に対して、所望のパターンに応じた熱分布を与え、熱分布に応じた位置に鉄を析出させて、この鉄を触媒として形成したものである。陰極17は、分離溝18によって互いに分離されている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を基板に配置する触媒配置工程と、
筒状炭素分子を成長させて陰極を形成する陰極形成工程と
を含むことを特徴とする電界電子放出素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01J9/02
, C01B31/02
, H01J1/304
, H01J29/04
, H01J31/12
H01J9/02 B
, C01B31/02 101F
, H01J29/04
, H01J31/12 C
, H01J1/30 F
4G146AA11
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC15
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146BC45
, 5C031DD17
, 5C031DD19
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH26
, 5C127BB05
, 5C127BB07
, 5C127DD33
, 5C135AB05
, 5C135AB07
, 5C135FF13
, 5C135FF16
