表面微細構造体とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-137105
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】簡潔な手法により、基板上に微細なパターンを形成しうる新しい技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】ガラス状炭素基材表面に平均径150〜400nm、平均長300〜2000nmの柱状体が150〜400nmの間隔で形成されていることを特徴とする表面微細構造体、およびガラス状炭素基材をプラズマ法によるドライエッチング処理に供することを特徴とする表面微細構造体の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガラス状炭素基材表面に平均径150〜400nm、平均長300〜2000nmの柱状体が150〜400nmの間隔で形成されていることを特徴とする表面微細構造体。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101A

Fターム (10件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AD02 , 4G146AD24 , 4G146AD40 , 4G146BA01 , 4G146BA42 , 4G146BC16 , 4G146CB15 , 4G146CB22

引用特許：

審査官引用 (1件)

カ-ボン材料とその製造方法、及びそれを用いた電界放出型冷陰極
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347955 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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