特許
J-GLOBAL ID：200903093131834407

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
池田 忠昭

池田 忠昭 について

, 
大中原 繁壽

大中原 繁壽 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337152
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164937
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 波長変換用の蛍光物質を含む層との間に界面ができないようにして発光輝度を高く維持できる半導体発光装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 発光素子3を底部側に導通搭載した反射ケース1の中に、蛍光物質を混入した熱硬化性の一次成形樹脂材7をポッティングした後、反射ケース1の底部側を半径方向の外側に向けた姿勢で遠心分離し、一次成形樹脂材を蛍光物質を含む蛍光膜層5と透明のエポキシ樹脂による封止樹脂層6とに分離し、蛍光膜層5を発光素子3の光路に臨ませることによって、発光素子3からの発光波長を変換して放出する。
請求項（抜粋）：
発光素子を樹脂のパッケージによって封止した半導体発光装置であって、前記樹脂のパッケージを、共通の樹脂を生地とする封止樹脂層と発光波長変換用の蛍光物質を含有した蛍光膜層との2層構造とするとともに前記封止樹脂層と蛍光膜層との間の境界層を前記共通の樹脂の生地によって接合し、前記蛍光膜層を前記発光素子からの光路中に含ませてなる半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 F
Fターム (21件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA01 ,  4M109CA02 ,  4M109DB10 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041DA91 ,  5F041DB01 ,  5F041DB03 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (8件)
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