特許

J-GLOBAL ID：200903093163459985

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鳥居 和功 ,  平谷 正彦 ,  尾内 享裕
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367981
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】平滑で特性に優れた絶縁膜を再現性よく作製できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート絶縁膜24を製造するときに、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを蒸着し、その際に基板表面に供給されるオゾンの分子数を、基板表面に供給されるシリコンの原子数と同じかそれより多くし、好ましくは5倍以上として行なう半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを蒸着して絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記基板表面に供給される上記オゾンの分子数は、上記基板表面に供給される上記シリコンの原子数と同じかそれより多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (23件)：

5F038AC15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF29 ,  5F058BF54 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AB09 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD15 ,  5F140BE09 ,  5F140BE20 ,  5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375450   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150289   出願人：日本電気株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241295   出願人：株式会社日立製作所
• 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242453   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド