特許

J-GLOBAL ID：200903093185841751

半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム

発明者： 岸本 克彦 ,  藤城 芳江
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-336089
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268754
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】電極側に光を漏らさないことで、低コストで製造でき、かつ低閾値電流発振と高効率動作が可能な低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】n-GaAs基板101上に、多重歪量子井戸活性層106と第2導電型の半導体層群(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAsコンタクト層112およびp+-GaAsコンタクト層113)を形成する。上記第2導電型の半導体層群の上側のリッジ部130側の表面に形成された多層構造のp側電極114が、リッジ部130の側面およびリッジ部130近傍の第2導電型の半導体層群の表面に接している。上記p側電極114の最下層において、発振レーザ光に対する屈折率を1.0以下にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に、少なくとも活性層と第2導電型の半導体層群を有し、上記第2導電型の半導体層群の上側の一部がストライプ状のリッジ部を形成しているリッジ導波型半導体レーザ素子であって、 上記第2導電型の半導体層群上に形成され、上記第2導電型の半導体層群のリッジ部の側面、または、上記リッジ部を除く上記第2導電型の半導体層群の領域の上記リッジ部近傍の表面の少なくとも一方に接する多層構造の上部電極を備え、 上記上部電極の少なくとも最下層において発振レーザ光に対する屈折率が1.0以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/22 ,  G11B7/125

FI (2件)：

H01S5/22 ,  G11B7/125 A

Fターム (18件)：

5D789AA37 ,  5D789AA40 ,  5D789BA01 ,  5D789FA05 ,  5D789FA17 ,  5D789FA22 ,  5D789NA04 ,  5F173AA08 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AG22 ,  5F173AH13 ,  5F173AK08 ,  5F173AK20 ,  5F173AP32 ,  5F173AP64 ,  5F173AR23 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-111375号公報(第3頁、第1図)
  

審査官引用 (5件)

• 特開平4-111375
  
• 半導体レ-ザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-212626   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-152161   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199461   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-111375