SOIウェーハの製造方法およびウェーハ分離治具

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046070
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ表面にキズを発生させることなくSOIウェーハを製造する方法およびそれに使用できるウェーハ分離治具を提供する。【解決手段】本発明のウェーハ分離治具1を用い、スマートカット法によるSOIウェーハの製造過程において、SOIウェーハ39と残存ウェーハ38との積層体34を個別のウェーハに分離させる。ウェーハ分離治具1は、積層体34を厚さ方向に支持する支持面1pと、積層体34における下側ウェーハの滑り移動を阻止するとともに、上側ウェーハの下側ウェーハに対する滑り移動を許容するように高さ調整された支持面1p上の段差部2を備える。支持面1pに積層体34を載せて傾け、上側ウェーハを自重により下側ウェーハに対して面内方向に相対的に滑り移動させて、両者を互いに分離させる。この方法によると、ウェーハ同士の擦れ合いを抑制でき、ウェーハ表面にキズも生じない。

請求項（抜粋）：

内部にイオン注入層が形成されたボンドウェーハと、SOI層が形成される予定のベースウェーハとを、少なくともいずれか一方のウェーハの貼り合わせ側主表面表層部をなす絶縁体層を介して密着させた状態で熱処理を行うことにより、前記ボンドウェーハにおける貼り合わせ側主表面表層部を前記SOI層として前記イオン注入層にて剥離するとともに、前記ベースウェーハに接合することによりSOIウェーハを得るSOIウェーハ形成工程と、前記SOIウェーハ形成工程にて得られる前記SOIウェーハと、剥離を生じた後の前記ボンドウェーハの残部である残存ウェーハとの積層体を一方が上、他方が下となるように保持し、その下側ウェーハに対し上側ウェーハを面内方向に相対的に滑らせることにより両者を互いに分離させるウェーハ分離工程と、を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/68 A

Fターム (14件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA12 , 5F031FA18 , 5F031FA21 , 5F031FA30 , 5F031GA18 , 5F031GA32 , 5F031GA35 , 5F031GA46 , 5F031GA49 , 5F031HA61 , 5F031HA65

引用特許：

審査官引用 (4件)

試料の分離装置及び分離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-316574 出願人：キヤノン株式会社
半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-132985 出願人：キヤノン株式会社
半導体基板の剥離装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106685 出願人：住友電気工業株式会社

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