特許
J-GLOBAL ID：200903093194557675
III族窒化物半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-348303
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159927
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】 第1導電型の不純物を含むIII族窒化物半導体領域の表面に、トレンチが形成されており、そのトレンチを第2導電型の不純物を含むIII族窒化物半導体領域が充填している半導体装置において、電界が局所的に集中することを防止して、半導体装置の高耐圧化を実現する。【解決手段】 第1導電型の不純物を含んでいる第1のIII族窒化物半導体領域30の表面側に、トレンチ12,8,4が形成されている。そのトレンチ12,8,4を、第2導電型の不純物を含んでいる第2のIII族窒化物半導体領域14,10,6が充填している。トレンチ12,8,4の横断面に露出する第1のIII族窒化物半導体領域30と第2のIII族窒化物半導体領域14,10,6の接合線の全長に亘って、接合線の接線の傾きが不連続に変化する頂点が存在しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面にトレンチが形成されているとともに第1導電型の不純物を含んでいる第1のIII族窒化物半導体領域と、
前記トレンチを充填しているとともに第2導電型の不純物を含んでいる第2のIII族窒化物半導体領域を備えており、
前記トレンチの横断面に露出する第1のIII族窒化物半導体領域と第2のIII族窒化物半導体領域の接合線の全長に亘って、その接合線の接線の傾きが不連続に変化する頂点が存在しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 29/06
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 652P
