縦型トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313859
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】高いキャリア濃度を有するp型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。【解決手段】ウエル領域19は、第2導電型を有しており、また第3のIII族窒化物系半導体から成る。ゲート電極21は、第2のIII族窒化物系半導体から成る第1導電型のソース領域17と第1のIII族窒化物系半導体から成る第1導電型のドリフト領域15との間に設けられたウエル領域19上に設けられている。絶縁層23は、ウエル領域19とゲート電極21との間に設けられている。第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第1のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第2のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドレイン領域と、前記ドレイン領域上に設けられており第1のIII族窒化物系半導体から成るドリフト領域と、第1導電型を有しており第2のIII族窒化物系半導体から成るソース領域と、前記ソース領域と前記ドリフト領域との間に設けられており第3のIII族窒化物系半導体から成る第2導電型のウエル領域と、前記ウエル領域上に設けられており前記ドリフト領域と前記ソース領域との間の伝導を制御するためのゲート電極と、前記ウエル領域と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁層とを備え、前記第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは前記第1のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きく、前記第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは前記第2のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である、ことを特徴とする縦型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652H , H01L29/78 658A , H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (1件)

縦型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-119885 出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

自己消弧型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204148 出願人：株式会社日立製作所
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-217888 出願人：株式会社デンソー
GaN系トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-133399 出願人：古河電気工業株式会社

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