特許
J-GLOBAL ID：200903093202860978
電気ニッケルめっき浴。
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172790
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：
【要約】【課題】 めっき排水中のほう酸やほう素の除去処理を行わなくてもよい、ほう酸を使用しないめっき浴で、緻密で欠陥の少ないニッケルめっき皮膜が得られる電気ニッケルめっき浴を提供する。【解決手段】 硫酸ニッケル:200〜360g/L、塩化ニッケル:30〜90g/L、クエン酸ニッケル:24〜42g/Lまたはクエン酸:12〜21g/Lを含み、pH:3〜5である電気ニッケルめっき浴であり、ニッケルめっき皮膜が緻密で、ピットやピンホール欠陥が殆どなく、また共析物質が少ないためニッケルめっき皮膜の純度が高く、耐食性が良好なものである。またほう酸を使用しないので、めっき排水中のほう酸やほう素の除去処理を行わなくてもよいものである。
請求項（抜粋）：
硫酸ニッケル:200〜360g/L、塩化ニッケル:30〜90g/L、クエン酸ニッケル:24〜42g/Lを含み、pH:3〜5であることを特徴とする電気ニッケルめっき浴。
Fターム (7件)：
4K023AA12
, 4K023BA06
, 4K023BA08
, 4K023BA26
, 4K023CB03
, 4K023DA02
, 4K023DA06
