特許
J-GLOBAL ID：200903093253193607

酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体用基板及びその製造方法

発明者：
大平 重男

大平 重男 について

, 
鈴木 悟仁

鈴木 悟仁 について


出願人/特許権者：
日本軽金属株式会社

日本軽金属株式会社 について


代理人 (4件)： 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077459
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254174
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化ガリウム粉末にSn、Ge、Si又はこれらの酸化物から選ばれた1種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを1400〜1600°Cで焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてFZ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度vを5mm/h<v<15mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
電気抵抗率が0.05Ω・cm以下であり、かつ、厚さ0.4mmにおける300〜620nmの波長領域での内部透過率が80%以上であることを特徴とする酸化ガリウム単結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/16 ,  H01L 33/00 ,  C30B 13/00
FI (3件)：
C30B29/16 ,  H01L33/00 C ,  C30B13/00
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BB10 ,  4G077CE03 ,  4G077EA07 ,  4G077EC05 ,  4G077EC07 ,  4G077FE17 ,  4G077FH09 ,  4G077FH10 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077NA01 ,  4G077NA05 ,  5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
  • 発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137912   出願人：株式会社光波
  • 単結晶育成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-078977   出願人：株式会社村田製作所
  • 光メモリー材料
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248483   出願人：三洋電機株式会社, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構, 工業技術院長
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