特許

J-GLOBAL ID：200903093261899381

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置及び磁場発生装置

発明者： 檜森 慎司 ,  永関 一也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303939
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】磁場を利用して処理空間におけるプラズマ密度の空間分布を効果的に制御できるようにすること。【解決手段】コイル装置64の第1組(内側)および第2組(外側)のコイルCLA,CLBが通電してチャンバ10内の処理空間PSに半導体ウエハWの被処理面に水平な面内(水平面内)で右回り方向または左回り方向の磁場[B]を形成する。一方、高周波電源32からの高周波電力がサセプタ12に供給され、サセプタ(下部電極)と上部電極38との間の高周波放電によってエッチングガスのプラズマが生成し、プラズマ側から上部電極38に向って垂直方向の電界[E]が生ずる。これにより、上部電極38付近でプラズマ中の電子が電界[E]と磁場[B]とによるローレンツ力を受けて径方向にドリフトし、プラズマイオンも電子を追いかけるようにして同方向に移動する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

処理空間の上部および下部にそれぞれ上部電極および下部電極を配置し、両電極間に高周波電界を形成するとともに処理ガスを流し込んで前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、 前記処理空間に前記被処理基板の被処理面に平行な面内で右回り方向または左回り方向の磁場を形成するプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/3065 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101B ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M

Fターム (17件)：

4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-062034   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132861   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010089   出願人：ソニー株式会社
• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124896   出願人：九州日本電気株式会社