特許
J-GLOBAL ID：200903093269898325
頭蓋内電極構造体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216461
公開番号（公開出願番号）：特開2009-045368
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】本発明は、脳への圧迫を軽減して、頭蓋内に留置可能な電極構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】脳形状の3次元データを用いて、脳回もしくは脳溝の表面、または半球間裂もしくは葉間の表面の3次元形状を有するシート状の構造体を作製するための型を作製する。該型を用いて、脳回もしくは脳溝の表面、または半球間裂もしくは葉間の表面の3次元形状を有するシート状のシリコーン構造体2を作製する。シリコーン構造体2の少なくとも一方の面に電極3を配置する。これにより、脳回もしくは脳溝の表面、または半球間裂もしくは葉間の表面の3次元形状を有するシート状のシリコーン構造体2上に、電極3が配置された電極構造体1を製造することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
頭蓋内に留置するための電極構造体であって、
生体適合性物質からなり、かつ、脳回もしくは脳溝の表面、または半球間裂もしくは葉間の表面の3次元形状を有するシート状の構造体に、電極が設けられていることを特徴とする電極構造体。
IPC (4件)：
A61N 1/05
, A61B 5/040
, A61B 5/047
, A61B 5/049
出願人引用 (1件)
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米国特許第5044368号(1991年9月3日公開)
審査官引用 (3件)
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