基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126104
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323370
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】例えばレジストを基板表面に塗布し、露光後の基板を現像処理する塗布、現像装置において、基板の温度を高精度に制御することにより、処理の均一性を高め、歩留まりを向上させること。【解決手段】ウエハカセット22を搬出入するカセットステ-ションS1に、レジストの塗布を行う塗布ステ-ションS2と、現像液の液盛りを行う現像ステ-ションS3とを接続する。当該ステ-ションS3は、ウエハWを加熱部3にて加熱し、次いで第1の冷却部4にて第1の温度以下の温度まで冷却し、続いて第2の冷却部5にて第1の温度よりも低い第2の温度まで冷却し、その後現像ユニット6にて現像液の液盛りを行なうように構成されている。

請求項（抜粋）：

基板を加熱するための複数の加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を第1の温度以下の温度に冷却するための、前記加熱部と同数あるいは加熱部より少ない数の第1の冷却部と、前記第1の冷却部にて冷却された基板を第1の温度よりも低い第2の温度に冷却するための第2の冷却部と、前記第2の冷却部にて冷却された基板に対して処理液の液膜を形成するための複数の基板処理部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/30 501

FI (2件)：

H01L 21/30 567 , G03F 7/30 501

Fターム (18件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096CA14 , 2H096FA01 , 2H096FA10 , 2H096GA29 , 5F046CD01 , 5F046CD03 , 5F046CD06 , 5F046DA27 , 5F046DA29 , 5F046JA22 , 5F046KA04 , 5F046KA07 , 5F046KA10 , 5F046LA04 , 5F046LA18 , 5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭62-132328
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-068202 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
熱処理方法及び熱処理装置並びに処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-273757 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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審査官引用 (7件)

特開昭62-132328
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-068202 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
熱処理方法及び熱処理装置並びに処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-273757 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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