交流用スイッチ素子及び交流回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269354
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】素子数を削減した低価格の交流用スイッチ素子を提供する。【解決手段】p形半導体基板10上にはドレインであるn-領域11が形成され、このn-領域11内には2つのp形領域12A、12Bが形成されている。この2つのp形領域12A、12B内には、ソースであるn+領域13A、13Bがそれぞれ形成されている。n+領域13Aとn+領域13B間のp形領域12A上部、及びn+領域13Aとn+領域13B間のp形領域12B上部はチャネル領域になっている。これらチャネル領域上には、それぞれゲート絶縁膜15A、15Bを介してゲート電極16A、16Bが形成され、また前記n+領域13A、13B上には、それぞれソース電極17A、17Bが形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体基板上に形成された前記第1導電形と反対の第2導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に分離されて形成された前記第1導電形の第2、第3半導体領域と、前記第2半導体領域内に形成された前記第2導電形の第4半導体領域と、前記第3半導体領域内に形成された前記第2導電形の第5半導体領域と、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間の前記第1半導体領域内に形成された、前記第1半導体領域より高濃度の第6半導体領域と、前記第4半導体領域と前記第6半導体領域との間の前記第2半導体領域上部に形成された第1チャネル領域と、前記第5半導体領域と前記第6半導体領域との間の前記第3半導体領域上部に形成された第2チャネル領域と、前記第1チャネル領域上に形成された第1制御電極と、前記第2チャネル領域上に形成された第2制御電極と、を具備することを特徴とする交流用スイッチ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/66 , H03K 17/56

FI (3件)：

H01L 27/08 102 J , H01L 29/66 , H03K 17/56 Z

Fターム (28件)：

5F048AA01 , 5F048AB10 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC11 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BH01 , 5J055AX44 , 5J055BX01 , 5J055CX18 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX44 , 5J055DX61 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EY10 , 5J055EY13 , 5J055EZ59 , 5J055GX01 , 5J055GX07

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-085956
MOSトランジスタで構成された双方向スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-245658 出願人：パワーインテグレーションズ,インコーポレイテッド
特開平4-063475

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