半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296078
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110897
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】程数を削減し、低コストでの製造を可能とする改良された接続プラグ構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、400°C以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、400°C以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 21/3205 , H01L 23/52

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 Q , H01L 25/08 B , H01L 21/88 T , H01L 21/92 604 B , H01L 23/52 C

Fターム (38件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ32 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033TT07 , 5F033VV07 , 5F033WW03 , 5F033XX17 , 5F033XX19 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F044KK01 , 5F044KK05 , 5F044LL09 , 5F044QQ02 , 5F044QQ04 , 5F044RR03

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019271 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051209 出願人：ローム株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-039446 出願人：シャープ株式会社

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