特許
J-GLOBAL ID：200903093383741053
半導体装置および半導体装置に用いるリードフレームの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140265
出願日： 2004年11月11日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】 リードフレームの素子搭載部上にダイマウント材を介して半導体素子を搭載し、これらをリードフレームのリード部の外部接続面が露出するようにモールド樹脂にて封止してなる半導体装置において、モールド樹脂内部の剥離の抑制とリード部の外部接続面への樹脂バリの発生の抑制とを両立させる。【解決手段】 素子搭載部11とリード部12とを有するリードフレーム10と、素子搭載部11の上面に樹脂よりなるダイマウント材20を介して搭載されリード部12と電気的に接続された半導体素子30と、リード部12の外部接続面12aが露出するようにこれらを封止するモールド樹脂50とを備える半導体装置100において、リードフレーム10の表面のうちモールド樹脂50の内部に位置する部位には、樹脂との密着性を高めるための粗化処理が施され、リード部12の外部接続面12aには粗化処理が施されていない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
素子搭載部(11)とリード部(12)とを有するリードフレーム(10)と、
前記素子搭載部(11)の上面に樹脂よりなるダイマウント材(20)を介して搭載され前記リード部(12)と電気的に接続された半導体素子(30)と、
前記リード部(12)の外部接続面(12a)が露出するように前記リードフレーム(10)および前記半導体素子(30)を封止するモールド樹脂(50)とを備える半導体装置において、
前記リードフレーム(10)の表面のうち前記モールド樹脂(50)の内部に位置する部位の少なくとも一部には、樹脂との密着性を高めるための粗化処理が施されており、
前記リード部(12)の前記外部接続面(12a)には、前記粗化処理が施されていないことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F067AA04
, 5F067AB03
, 5F067BB00
, 5F067BC12
, 5F067BE00
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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半導体装置および製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-383877
出願人：株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-355925
出願人：株式会社三井ハイテック
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特開昭64-055291
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