特許
J-GLOBAL ID:200903093419300768

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-369429
公開番号(公開出願番号):特開2006-177712
出願日: 2004年12月21日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】 熱検出画素と可視光検出画素を併せ持つ半導体装置を感度良くかつ簡易な構成で提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板と該半導体基板に熱検出画素を構成するための温度検知部と可視光検出画素を構成するための光電変換部とが形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、該半導体基板に、熱検出画素を構成するための温度検知部及び可視光検出画素を構成するための光電変換部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
G01J 5/48 ,  G01J 1/02 ,  H01L 35/00 ,  H01L 37/00 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (8件):
G01J5/48 A ,  G01J1/02 C ,  H01L35/00 S ,  H01L37/00 ,  H04N5/33 ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 K ,  H01L31/10 A
Fターム (43件):
2G065AA04 ,  2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065AB04 ,  2G065BA09 ,  2G065BA12 ,  2G065BA34 ,  2G065BB24 ,  2G066BA08 ,  2G066BA09 ,  2G066BA13 ,  2G066BA55 ,  2G066CA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA14 ,  4M118CA16 ,  4M118CA34 ,  4M118CA35 ,  4M118CB20 ,  4M118DD02 ,  4M118EA04 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  4M118GD03 ,  4M118GD20 ,  5C024AX01 ,  5C024AX06 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 米国特許公報5808350
  • 米国特許公報6097031
  • 赤外線固体撮像素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-012269   出願人:三菱電機株式会社
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