不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：五十嵐省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-104421
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288291
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 1層ゲート型不揮発性半導体記憶装置のセルトランジスタ特性を向上させること。【構成】半導体基板1内のドレイン領域3上及びドレイン領域3とソース領域4との間のチャネル領域上にシリコン酸化層7を形成し、半導体基板1内のプログラム用領域6上にシリコン酸化層8を形成する。これらシリコン酸化層7,8上にフローティングゲート9を形成する。フローティングゲート9とプログラム用領域6との間の容量をフローティングゲート9とドレイン領域3との間の容量より小さくしてフローティングゲート9とプログラム用領域との間でF-Nトンネル電流を発生させる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板内に相互に分離されて形成され、前記第1の導電型と反対の第2の電導型のドレイン領域(3)、ソース領域(4)及びプログラム用領域(6)と、前記ドレイン領域及び該ドレイン領域と前記ソース領域との間のチャネル領域にあって前記半導体基板上に形成された第1の絶縁層(7)と、前記プログラム用領域上に形成された第2の絶縁層(8)と、該第1、第2の絶縁層上に亘って形成されたフローティングゲート(9)と、を具備し、前記フローティングゲートと前記プログラム用領域との間の容量を前記フローティングゲートと前記ドレイン領域との間の容量より小さくした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭51-117838
特開昭51-117838
特開昭61-181168

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