特許
J-GLOBAL ID:200903093542490202

半導体装置及びそれを用いた電子装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-166330
公開番号(公開出願番号):特開2000-353709
出願日: 1999年06月14日
公開日(公表日): 2000年12月19日
要約:
【要約】【課題】半導体基体が載置部材に固着される半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体基体と載置部材とが、Sn,Ag,Cu,Ni,P,Bi,Zn,Au,Inの群から選択された少なくとも1種の物質とSnからなるろう材により固着され、半導体基体の被固着面に設けられたPt層とはんだ材とが直接固着される。【効果】Pt層により固着面における金属間の過剰な反応が防止されるので、半導体基体と載置部材との接合の信頼性が向上する。
請求項(抜粋):
半導体基体と該半導体基体を載置する部材がSn,Sb,Ag,Cu,Ni,P,Bi,Zn,AuそしてInの群から選択された少なくとも1種の物質とSnからなるろう材により固着され、該半導体基体の被固着面に設けられたPt層と該ろう材とが直接固着される接着構造を有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (12件):
5F047AA02 ,  5F047AA11 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19 ,  5F047BB03 ,  5F047BC01 ,  5F047BC12 ,  5F047BC13
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭58-006143
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-318950   出願人:日本電気株式会社
  • AuSn多層ハンダ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-152683   出願人:日本航空電子工業株式会社
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