特許
J-GLOBAL ID：200903093563726400
シリコン単結晶引上装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-352136
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171685
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶引上装置において、黒鉛ルツボに石英ルツボを装填する際に、石英ルツボの外側と黒鉛ルツボ内側との間隙に存在するガスが圧縮され、該両ルツボの上部隙間から吹き出し、この時黒鉛粉末が吹き出すガスに同伴して舞い上がり周囲を汚染するのを防止する。【解決手段】 シリコン融液を収容する石英ルツボと該石英ルツボを保持する黒鉛ルツボとを少なくとも備え、石英ルツボ中のシリコン融液にシリコン種結晶を浸し、所望の単結晶を引上げるシリコンウエハ単結晶引上装置において、前記黒鉛ルツボに石英ルツボを装填する際に、両ルツボ間の空隙領域に存在するガスを逃がすための貫通開口が黒鉛ルツボの底部に少なくとも1個設けられている。
請求項（抜粋）：
シリコン融液を収容する石英ルツボと該石英ルツボを保持する黒鉛ルツボとを少なくとも備え、石英ルツボ中のシリコン融液にシリコン種結晶を浸し、所望の単結晶を引上げるシリコンウエハ単結晶引上装置において、前記黒鉛ルツボ内に石英ルツボを装填する際、両ルツボ間の空隙領域に存在するガスを逃がすための貫通開口が、前記黒鉛ルツボの底部に少なくとも1個設けられていることを特徴とするシリコンウエハ単結晶引上装置。
IPC (3件)：
C30B 15/12
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 15/12
, C30B 29/06 502 B
, H01L 21/208 P
