Sn-Ag-Cu三元合金薄膜を形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-115940
公開番号（公開出願番号）：特開2006-291323
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させたSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。【解決手段】本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Sn-Ag-Cu三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Sn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式(I)で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合される。 MFX(X-Y)-・・・(I)(化学式(I)中、Mは任意の金属を示し、Xは任意の自然数を示し、YはMの酸化数を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材上にSn-Ag-Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、前記方法は、前記基材をめっき浴に浸漬し、前記Sn-Ag-Cu三元合金薄膜を前記基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、前記めっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、前記無機系キレート剤は、以下の化学式(I)で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、前記Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、前記有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、前記Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするSn-Ag-Cu三元合金薄膜を形成する方法。 MFX(X-Y)-・・・(I) (上記化学式(I)中、Mは任意の金属を示し、Xは任意の自然数を示し、YはMの酸化数を示す。)

IPC (2件)：

C25D 3/60 , C25D 7/00

FI (2件)：

C25D3/60 , C25D7/00 G

Fターム (20件)：

4K023AB34 , 4K023BA06 , 4K023BA08 , 4K023BA09 , 4K023BA12 , 4K023BA22 , 4K023BA26 , 4K023BA29 , 4K023CA09 , 4K023CB03 , 4K023CB21 , 4K024AA21 , 4K024BA01 , 4K024BB09 , 4K024BB10 , 4K024BB11 , 4K024CA02 , 4K024CB07 , 4K024GA03 , 4K024GA14

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平1-298617号公報
電子部品用リード材、それを用いたリードおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-308775 出願人：古河電気工業株式会社, 協和電線株式会社
すず-銀-銅はんだ合金の形成方法並びに当該合金を使用する鉛フリーバンプおよび半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-150620 出願人：株式会社荏原製作所

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