特許

J-GLOBAL ID：200903093581928312

シリコン単結晶ウェ-ハおよびその製造方法

発明者： 田中 正博 ,  小川 操 ,  岩崎 俊夫 ,  原田 博文 ,  福田 淳 ,  長谷部 政美
出願人/特許権者： ニッテツ電子株式会社 ,  新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080451
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335198
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】 COP等のGrown-in欠陥の少ないシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から得られたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハに見られる点欠陥の吸収層の面内分布が、同心円状、らせん状及び放射状の1種又は2種以上の形態であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から得られたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハに見られるCOP、酸素濃度及び/又は不純物濃度の面内分布が、同心円状、らせん状及び放射状の1種又は2種以上の形態であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338459   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭59-083996
  
• 磁場印加による半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181210   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体単結晶棒の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061924   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社