特許
J-GLOBAL ID：200903093586065380

半導体素子の製造方法

発明者：
一ノ瀬 昇

一ノ瀬 昇 について

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島村 清史

島村 清史 について

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青木 和夫

青木 和夫 について

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ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア

ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア について


出願人/特許権者：
株式会社光波

株式会社光波 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154011
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340308
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 生産性の高い半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 この発光素子40は、β-Ga2O3単結晶からなるGa2O3基板41と、AlxGa1-xNからなるバッファ層(ただし0≦x≦1)42と、GaNからなるn-GaN層43と、GaNからなるp-GaN層44と、透明電極45と、透明電極45の一部に形成されたAu等からなるボンディング電極47と、Ga2O3基板41の下面に形成されたn電極46からなる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
酸化物半導体からなる第1の層上に、半導体からなる第2の層をMOCVD法により形成する半導体素子の製造方法において、 前記第2の層の形成は、前記第1の層の前記酸化物半導体が反応しないキャリアガスによって前記第2の層を構成する原料ガスを搬送することにより行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/16 ,  H01L33/00 C
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077BB10 ,  4G077CE03 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077NE03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC17 ,  5F045AF01 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045EE13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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