特許
J-GLOBAL ID：200903073606278600
III族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284642
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 高光度で長寿命の半導体発光素子を低コストで量産可能にする。【解決手段】 発光素子単位の分離溝21を切削形成する分離溝形成工程と、半導体ウエハの基板11を研削又は研磨する薄板化工程と、ウエハの基板側の面11bを表にして粘着シート24に貼り付ける貼り付け工程と、面11bに発光素子単位に分割線25を罫描くスクライブ工程と、透光層101と反射層102と耐蝕層103の3層より成る鏡部10の各層を順次スパッタリング又は蒸着により成膜する鏡部成膜工程を順次実行する。この透光層の材料はシート上にも成膜されるので、粘着材から揮発し易いガスは封止され、反射層102の金属とは化学結合しなくなる。よって、反射層の反射率は良好に維持できる。反射層は多層構造でも良い。
請求項（抜粋）：
基板の上に III族窒化物系化合物半導体より成る複数の半導体層が結晶成長により積層された半導体発光素子において、前記基板の発光層が位置する側とは反対側の面に、透光性の金属酸化物又は透光性のセラミックスより成る透光層と、前記発光層から放出される光を前記基板側に反射する金属製の反射層とを順次積層することにより、鏡部が形成されていることを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041AA06
, 5F041CA40
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CB15
, 5F041EE23
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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特開2039-137393
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特開2039-137393
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窒化物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-006300
出願人：日亜化学工業株式会社
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