半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田卓二 , 中野晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-211151
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041767
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】パラジウムシリサイドからなるフルシリサイドゲート電極を有し、ソース/ドレイン領域上にシリサイド層を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の上に、ゲート絶縁膜を介して設けられたパラジウムシリサイドのゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域とを含むMOS構造の半導体装置において、ゲート電極にホウ素を不純物としてドープすることにより、ゲート電極の仕事関数を小さくなるようにシフトさせた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上に、ゲート絶縁膜を介して設けられたパラジウムシリサイドのゲート電極と、該ゲート電極の両側の該半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域とを含むMOS構造の半導体装置であって、該ゲート電極にホウ素を不純物としてドープすることにより、該ゲート電極の仕事関数を小さくなるようにシフトさせたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L29/78 301P , H01L21/28 301S , H01L29/58 G

Fターム (63件)：

4M104AA01 , 4M104BB21 , 4M104BB23 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD63 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH00 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF17 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF38 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG39 , 5F140BG45 , 5F140BG49 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

CMOS半導体素子およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-182673 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-154406 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

Pd2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調
新しいメタルゲート材料Pd2Siの研究

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