特許
J-GLOBAL ID：200903093632182574

固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法

発明者：
國分 勝則

國分 勝則 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067678
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281499
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】受光領域および転送領域の拡大を図ることが可能で、これによりさらなる画素サイズの小型化が可能な固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板3の第1面3a側の表面層に設けられた第1拡散層6と、第1拡散層6の下層に設けられた第1拡散層6と逆導電型の第2拡散層7とからなる光電変換部8と、半導体基板3の第2面3b側から光電変換部8に達する状態で設けられたトレンチ内の内壁を覆うゲート絶縁膜13と、トレンチ内に埋め込まれた読出ゲート電極15と、半導体基板3の第2面3b側にゲート絶縁膜13に隣接しかつ光電変換部8に対して離間して設けられ、読出ゲート電極15への電圧印加によって光電変換部8の電荷が読み出される第3拡散層17とを備えたことを特徴とする固体撮像素子1。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1面側の表面層に設けられた第1拡散層と、当該第1拡散層の下層に設けられた当該第1拡散層と逆導電型の第2拡散層とからなる光電変換部と、 前記半導体基板の第2面側から前記光電変換部に達する状態で設けられたトレンチ内の内壁を覆うゲート絶縁膜と、 前記トレンチ内に埋め込まれた読出ゲート電極と、 前記半導体基板の第2面側に前記ゲート絶縁膜に隣接しかつ前記光電変換部に対して離間して設けられ、前記読出ゲート電極への電圧印加によって前記光電変換部の電荷が読み出される第3拡散層とを備えた ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L27/148 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 B ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 U
Fターム (20件)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GC11 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX21 ,  5C024EX25 ,  5C024GX01 ,  5C024GY01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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