ウエハ検査装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-190702
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】散乱体の大きさが波長より小さい場合でも、表面異物と内部欠陥の識別をするのに適したウエハ検査装置を提供すること。【解決手段】光13をウェハ1にブリュースター角で斜方照射し、角度0度およびブリュースター角以上の角度でウエハの散乱体から散乱される散乱光を検出器7、10で検出し、その両者の散乱光強度の比をとって表面異物と内部欠陥とを区別する。相対的に表面異物はブリュースター角以上の角度で検出した散乱光が0度方向で検出した散乱光より大きく、内部欠陥による散乱光はその反対の性質を示すため、その区別が可能となる。

請求項（抜粋）：

ウエハに光を斜方照射し、それによってそのウエハから散乱される散乱光を検出するウエハ検査装置において、前記ウエハからの散乱光を検出する第1及び第2の散乱光検出系を備え、前記第1の散乱光検出系は、これによって検出される前記ウエハの表面異物からの散乱光強度が前記第2の散乱光検出系によって検出される前記表面異物からの散乱光強度よりも相対的に強くかつ前記第1の散乱光検出系によって検出される前記ウエハの内部欠陥からの散乱光強度が前記第2の散乱光検出系によって検出される前記内部欠陥からの散乱光強度よりも相対的に弱くなる第1の方向に配置され、前記第2の散乱光検出系は、これによって検出される前記ウエハの表面異物からの散乱光強度が前記第1の散乱光検出系によって検出される前記表面異物からの散乱光強度よりも相対的に弱くかつ前記第2の散乱光検出系によって検出される前記ウエハの内部欠陥からの散乱光強度が前記第1の散乱光検出系によって検出される前記内部欠陥からの散乱光強度よりも相対的に強くなる第2の方向に配置され、前記第1及び第2の散乱光検出系によって検出される散乱光強度の比較にもとづいて前記表面異物及び内部欠陥を区別するようにしたことを特徴とするウエハ検査装置。

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-174348
特開平4-174348
特開平4-174348

特開昭59-061762

多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092362 出願人：三井金属鉱業株式会社

シリコンウエハ表面の異物検出光学系
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-035480 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社

欠陥評価装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090594 出願人：三井金属鉱業株式会社

特開平1-221850

特開平1-156641

特開昭63-122935

異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094266 出願人：株式会社東芝

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