特許

J-GLOBAL ID：200903093704646597

誘電体スタックの形成方法

発明者： ジェリー・チェン ,  ツァイ・ウィルマン ,  マッティ・カイマックス ,  ヤン-ウィレム・メース
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ,  エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-557681
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511934
出願日： 2003年12月09日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

本発明は、集積回路の中に誘電体スタックを形成する方法を提供し、(i)半導体基板上に高-k誘電体層を形成するステップと、(ii)高-k誘電体層を有する半導体基板を、プラズマ化学気相成長方法(PECVD)またはプラズマ原子層化学気相成長法(PEALCVD)において、窒素含有気相反応物およびケイ素含有気相反応物で処理するステップとを含む。さらに、本発明は、(i)少なくとも高-k材料を含む高-k誘電体層と、(ii)少なくともケイ素および窒素を含む誘電体層と、(iii)前記高-k誘電体層と前記誘電体層の間に配設された中間層とを含む集積回路中の誘電体スタックを提供し、前記中間層は前記高-k材料、ケイ素および窒素を含む。

請求項（抜粋）：

集積回路中に誘電体スタックを作成する方法であって、 半導体基板上に高-k誘電体層を形成するステップと、 該高-k誘電体層を有する前記半導体基板を、プラズマ化学気相成長処理(PECVD)またはプラズマ原子層化学気相成長処理(PEALCVD)において窒素含有気相反応物およびケイ素含有気相反応物で処理するステップとを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824

FI (3件)：

H01L21/318 M ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 651

Fターム (36件)：

5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD11 ,  5F083AD60 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083PR21 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG44

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-082985   出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
• 多層誘電体スタックおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-020773   出願人：シャープ株式会社
• ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174015   出願人：三星電子株式会社
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248292   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-038248