半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155920
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008245
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、容量絶縁膜の端部の結晶性劣化に基づく電気的特性の劣化のない容量素子を内蔵した半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板21の主面に形成された絶縁膜21aの上に、下電極22と容量絶縁膜23と上電極24とからなる容量素子25と、容量素子25を覆って形成された保護膜26と、保護膜26に形成された第1の開口27aを介して下電極22と第2の開口27bを介して上電極24とにそれぞれ接続された電極配線28とを備え、少なくとも上電極24の面積が下電極22の面積より小さく、容量絶縁膜23の端部が下電極22の端部と上電極24の端部の間にある。

請求項（抜粋）：

集積回路要素が形成された半導体基板の主面に形成された絶縁膜の上に、下電極と強誘電体膜または高誘電率を有する誘電体膜からなる容量絶縁膜と上電極とで構成された容量素子と、前記容量素子を覆って形成された保護膜と、前記保護膜に形成された第1の開口を介して前記下電極と第2の開口を介して前記上電極とにそれぞれ接続された電極配線とを備え、少なくとも上電極の面積が下電極の面積より小さく、容量絶縁膜の端部が下電極の端部と上電極の端部の間にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

非対称強誘電体コンデンサ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056269 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062062 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
強誘電体膜を有する半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-273230 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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