特許
J-GLOBAL ID：200903093739698034

弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法

発明者：
大脇 卓弥

大脇 卓弥 について

, 
三井 雄治

三井 雄治 について

, 
吉澤 弦

吉澤 弦 について


出願人/特許権者：
エプソントヨコム株式会社

エプソントヨコム株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228768
公開番号（公開出願番号）：特開2007-124627
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたSH波型SAWデバイスを得る。【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されAlを主成分とする合金からなるIDT電極とを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDT電極の波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12としたSH波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を0.002μm以上の厚さでエッチングしてSH波型弾性表面波デバイスを構成する。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
圧電基板と、該圧電基板上に形成されAl又はAlを主成分とする合金からなるIDT電極とを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、 前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、 励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDT電極の波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12とし、 前記IDT電極が前記圧電基板のエッチングされた表面に形成されていることを特徴とするSH波型弾性表面波デバイス。
IPC (8件)：
H03H 9/145 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 ,  H03H 9/64 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22
FI (10件)：
H03H9/145 C ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 C ,  H03H9/25 Z ,  H03H9/64 Z ,  H01L41/08 U ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/22 Z
Fターム (19件)：
5J097AA24 ,  5J097AA29 ,  5J097BB11 ,  5J097BB14 ,  5J097DD01 ,  5J097DD04 ,  5J097DD05 ,  5J097DD09 ,  5J097DD28 ,  5J097EE02 ,  5J097FF03 ,  5J097GG02 ,  5J097GG05 ,  5J097GG07 ,  5J097HA03 ,  5J097KK05 ,  5J097KK06 ,  5J097KK07 ,  5J097KK09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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