特許

J-GLOBAL ID：200903093742484452

半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質

発明者： バルシーヌ, ミハエラ ,  ジュン, キー, バム ,  ホアン, リホア, リー ,  シャ, リー-クン ,  ワン, ロンピン ,  ウィッティ, デレック, アール. ,  スターン, ルイス ,  シーモンズ, マーティン, ジェイ ,  マサド, ヒケム ,  クワン, マイケル, チウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543146
公開番号（公開出願番号）：特表2008-522405
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

応力をもたせた膜が基板上に形成される。基板が処理ゾーンに置かれ、処理ゾーンに与えられたシリコン含有ガス及び窒素含有ガスを有する処理ガスのプラズマが形成される。窒素の如き希釈ガスを加えることもできる。堆積直後のままの応力をもたせた物質を、紫外線又は電子ビームに対して露出させることにより、その堆積物質の応力値を増大させることができる。それに加えて、又はそれとは別に、堆積中にその物質の応力値を増大させるために、窒素プラズマ処理を使用することができる。応力をもたせた物質を堆積させるためのパルス化方法も開示する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に応力をもたせた物質を形成する方法において、 (a)(i)上記基板を第1の処理ゾーンに置き、 (ii)上記処理ゾーンへシリコン含有ガス及び窒素含有ガスを含む処理ガスを導入し、 (iii)上記処理ガスのプラズマを発生させ、 (iv)上記処理ゾーンから上記処理ガスを排出させる、 ことによって上記基板上に物質を堆積させるステップと、 (b)上記堆積物質の応力値を増大させるため上記堆積物質を紫外線に露出させるステップと、 を備えた方法。

IPC (7件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/318 B ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/31 C ,  H01L21/90 K

Fターム (104件)：

5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033HH25 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW08 ,  5F033XX19 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F045DC65 ,  5F045DP03 ,  5F045EE19 ,  5F045EH02 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045HA01 ,  5F045HA09 ,  5F045HA11 ,  5F045HA16 ,  5F045HA19 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA04 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC05 ,  5F140CC06 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC15 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260310   出願人：シヤープ株式会社
• チャネルキャリア移動度向上のための高応力ライナーを備えたSi-Geに基づく半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-511390   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 特開平1-251723
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012200   出願人：ソニー株式会社