チャネルキャリア移動度向上のための高応力ライナーを備えたSi-Geに基づく半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-511390
公開番号（公開出願番号）：特表2007-536736
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

応力ライナーを用いることで、Si-Geデバイスのトランジスタのチャネル領域のキャリア移動度が増加される。一実施形態においては、緩和ソース/ドレイン領域を覆う高圧縮膜あるいは高引っ張り応力膜を適用する。他の実施形態としては、ポストシリサイドスペーサを除去した後、P-チャネルトランジスタあるいはN-チャネルトランジスタのゲート電極(72)および歪みソース/ドレイン領域(71)にそれぞれ、高圧縮応力膜(90)あるいは高引っ張り応力膜(120)を適用する。

請求項（抜粋）：

シリコン-ゲルマニウム(Si-Ge)層(70)上に歪み格子を有するシリコン層(Si)(71)を含む基板を有し、前記基板上に形成されたソース/ドレイン領域とゲート電極(72)とを有してこれらの間にゲート誘電体層(73)が設けられたトランジスタを有し、前記ゲート電極の側面上と前記ソース/ドレイン領域上とに形成された応力誘電体ライナー(90、120)を有する、半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/318

FI (7件)：

H01L29/78 301N , H01L27/08 321E , H01L27/08 321C , H01L27/08 321B , H01L29/78 301S , H01L29/78 301B , H01L21/318 B

Fターム (59件)：

5F048AA03 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BA14 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ04 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG51 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK18 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC13

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、その半導体装置を含む論理回路および半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074746 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076182 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342667 出願人：株式会社日立製作所

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