特許

J-GLOBAL ID：200903093791320120

炭化珪素半導体装置

発明者： 大柳 孝純 ,  渡辺 篤雄 ,  榊原 利夫 ,  山本 剛 ,  中村 広希
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社デンソー
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289821
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108217
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 炭化珪素を用いた静電誘導トランジスタにおいて、シート抵抗が小さいゲート領域を形成し、ゲート遅延を短縮し、高速スイッチング動作を実現する。【解決手段】 トレンチ溝110〜114に沿ってゲート領域12を形成したSITの溝底のゲート引出し層13からCVD法により形成されるタングステンプラグ膜を利用して、溝上部までタングステンプラグ膜(ゲート立上げ金属膜)31で持ち上げ、トレンチ溝短冊の長辺を、ゲート遅延が問題にならない程度に短くし、溝上部でタングステンプラグ膜同士を接続した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基体の第1導電型n(又はp)の基板と、この基板の一面に形成されたドレイン電極と、前記基板の他面側に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、半導体基体の前記他面に沿って形成された第1導電型のソース領域と、このソース領域にオーミック接触するソース用オーミック接触金属膜と、半導体基体の前記他面から形成された複数の溝と、これらの溝に沿って形成された第2導電型p(又はn)のゲート領域を備えた縦型の電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記溝の底部で、前記ゲート領域の引出し層とオーミック接触するとともに、半導体基体の前記他面へ立上がるゲート立上げ金属膜と、半導体基体の前記他面から前記ゲート立上げ金属膜に接続されたゲート引出し金属膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/80

FI (1件)：

H01L29/80 V

Fターム (16件)：

5F102FA02 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR09 ,  5F102GR13 ,  5F102GS03 ,  5F102GS10 ,  5F102GV03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 整流ゲートを有する三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-518113   出願人：ノースカロライナステートユニバーシティ

審査官引用 (4件)

• オーミック電極構造体、その製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282532   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日産自動車株式会社
• 静電誘導トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145179   出願人：財団法人半導体研究振興会
• 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-219571   出願人：株式会社オートネットワーク技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社
• 静電誘導半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061565   出願人：株式会社豊田中央研究所