特許
J-GLOBAL ID：200903093815892422

半導体装置

発明者：
相原 一洋

相原 一洋 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-240537
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079887
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】Si結晶膜の表面の自然酸化に起因したSi結晶膜での導電性の低下によって生じる問題が解消された半導体装置を提供する。【解決手段】SiGe結晶膜基板2上には、チャネル領域として機能するSi結晶膜4bが形成されている。また、Si結晶膜4bの上には、チャネル領域として機能するSiGe結晶膜4aが形成されている。また、SiGe結晶膜4aおよびSi結晶膜4bの両側には、ソース/ドレイン領域として機能するSi結晶膜3が形成されている。また、SiGe結晶膜4a上には、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6が形成されている。前述の構成によれば、SiGe結晶膜4aがSi結晶膜4bの自然酸化を抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子が流れる導電性部と、 該導電性部の下面に接することにより、該導電性部を構成する半導体に格子歪を生じさせて、該導電性部を流れる電子の移動度を向上させる移動度向上部と、前記半導体基板の表面を構成しながら前記導電性部の上面を覆うことにより、前記導電性領域が自然酸化されることを抑制する機能を有する酸化抑制部とを有する半導体基板を備えた、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L29/417
FI (2件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/50 M
Fターム (24件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104CC05 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AC28 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB13 ,  5F140BB18 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BH05 ,  5F140BH08 ,  5F140BH13 ,  5F140BH27
引用特許：
審査官引用 (3件)

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