半導体装置及び半導体モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087644
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273755
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】メモリユニットを複数積層することができ、複数積層したメモリユニットのいずれかを選択する選択信号端子数を削減することができ、小型化及び大容量化を実現することができる半導体装置並びに半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体装置1は、メモリユニット10Aと、選択信号端子311、312と、識別ユニット30Aとを備えている。選択信号端子311には複数のメモリユニット(10A〜10D)に共通のメモリユニット選択信号CS1が、選択信号端子312には共通のメモリユニット選択信号CS2がそれぞれ供給されている。識別ユニット30Aは、共通のメモリユニット選択信号CS1、CS2に基づき、メモリユニット10Aをその他のメモリユニット10B〜10Dに対して識別させる。半導体装置1上にはそれと同一構造の半導体装置2〜4が積層され、半導体モジュールを構築することができる。

請求項（抜粋）：

メモリユニットと、複数のメモリユニットに共通のメモリユニット選択信号が供給される選択信号端子と、前記共通のメモリユニット選択信号に基づき、前記メモリユニットをその他のメモリユニットに対して識別させる識別ユニットとを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

G11C 8/00 312 , G06F 12/06 510 , G06F 12/06 515 , G11C 5/00 303 , G11C 11/401 , H01L 25/10 , H01L 25/11 , H01L 25/18

FI (6件)：

G11C 8/00 312 , G06F 12/06 510 A , G06F 12/06 515 D , G11C 5/00 303 Z , G11C 11/34 371 K , H01L 25/14 Z

Fターム (8件)：

5B024AA07 , 5B024AA15 , 5B024BA18 , 5B024CA21 , 5B024CA22 , 5B060AB14 , 5B060CA11 , 5B060MM15

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-296592
半導体記憶装置及び半導体記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-286926 出願人：株式会社東芝
特開平2-290048

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