特許
J-GLOBAL ID：200903093856120809
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069959
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274435
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 読み出し速度の向上と共により集積度を高めたコンピュータシステム等に対応が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 複数のメモリセルトランジスタMC13が接続された複数の副ビット線SBL12が、選択的に主ビット線MBL11に接続される半導体記憶装置において、副ビット線SBL12および主ビット線MBL11を、金属材料により形成する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルトランジスタが接続された複数の副ビット線が、選択的に主ビット線に接続される半導体記憶装置において、前記副ビット線および前記主ビット線を、金属材料により形成することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
