特許
J-GLOBAL ID：200903093857791600
強誘電体ランダムアクセスメモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176169
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 信頼性が向上した、読出し動作をする時、高いセンシングマージンを得られる強誘電体ラム装置を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体ラムFRAM装置は、ワードラインと、ワードライン各々に対応するセル電極ラインと、ワードラインと交差されるように配列されたビットラインと、そして、各々がスイッチングトランジスターと強誘電体キャパシターを含むメモリセルのアレイと、アレイのワードライン一つを選択するための選択信号と非選択されたワードラインに供給するための非選択信号を発生し、そして、セル電極ライン中、選択されたワードラインに対応する一つを駆動信号に駆動するローデコーダ回路及び、書込み動作の間に第1のレベルの駆動信号を発生し、読出し動作の間に第1のレベルより高い第2のレベルの駆動信号を発生する駆動信号発生回路を含む。
請求項（抜粋）：
ワードラインと、前記ワードライン各々に対応するセル電極ラインと、前記ワードラインと交差するように配列されたビットラインと、そして、各々がスイッチングトランジスターと強誘電体キャパシターを含んで、前記強誘電体キャパシターの一つの電極が前記スイッチングトランジスターを通じて対応するビットラインに接続され、その他の電極が対応するセル電極ラインに接続され、前記スイッチングトランジスターの制御電極が対応するワードラインに接続されるメモリセルとを備えたメモリセルアレイと、前記アレイのワードラインの一つを選択するための選択信号と非選択されたワードラインに供給するための非選択信号を発生し、そして、前記セル電極ライン中、前記選択されたワードラインに対応する一つを駆動信号に駆動するローデコーダ及び、前記選択されたワードラインに対応するセル電極ラインを駆動するための前記駆動信号を発生する駆動信号発生手段を含み、前記駆動信号発生手段は書込み動作の間に第1のレベルの前記駆動信号を発生し、読出し動作の間に前記第1レベルより高い第2のレベルの前記駆動信号を発生する不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
