特許
J-GLOBAL ID:200903093880955784

フォトニック結晶欠陥導波路、フォトニック結晶欠陥デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 橋爪 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-080916
公開番号(公開出願番号):特開2004-287224
出願日: 2003年03月24日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】階段状線欠陥導波路を設けることにより、光を含む電磁界を導く方向に関して、フォトニック結晶の格子構造に単純に従って曲げを行うよりも、より自由な選び方を可能とし、フォトニック結晶上の様々な素子の設計を容易にする。【解決手段】フォトニック結晶中のある欠陥(フォトニック結晶の周期構造を構成する要素を局所的に除去した部分)に存在する電磁界を、界の結合対象(特に同結晶中の他の欠陥)に近接した位置で誘導し、それら欠陥と結合対象の間の電磁界の結合を実現もしくは回避することを目的とした、階段状線欠陥1を様式の一部に有する、フォトニック結晶欠陥導波路。さらに、フォトニック結晶欠陥導波路を構造の一部に有する電磁波伝送における分岐器、結合器および方向性結合器等のフォトニック結晶欠陥デバイス。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
周期構造を構成する要素を含み、特定の波長又は周波数範囲の光又は電波を含む電磁界の伝播を抑制するためのフォトニック結晶と、 前記フォトニック結晶の周期構造を構成する要素を局所的に除去した部分である欠陥を、前記フォトニック結晶中に、線として複数連結して階段状に導波路を形成した階段状線欠陥と、 前記階段状線欠陥に対して、電磁界を入力及び/又は出力するための入力端及び/又は出力端と を含み、 階段状線欠陥に入力された電磁界を、前記フォトニック結晶中の電磁界の結合対象である他の欠陥に近接又は接触した所定の位置へ誘導し、所定の位置で前記階段状線欠陥と結合対象である他の欠陥との間で電磁界を結合させるための、フォトニック結晶欠陥導波路。
IPC (4件):
G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/01 ,  G02F1/365
FI (7件):
G02B6/12 Z ,  G02F1/01 C ,  G02F1/365 ,  G02B6/12 N ,  G02B6/12 D ,  G02B6/12 H ,  G02B6/12 F
Fターム (16件):
2H047KA03 ,  2H047KB04 ,  2H047KB08 ,  2H047LA09 ,  2H047LA12 ,  2H047LA18 ,  2H047NA08 ,  2H079AA08 ,  2H079CA05 ,  2H079EA03 ,  2K002AA02 ,  2K002AB04 ,  2K002BA01 ,  2K002DA20 ,  2K002EA15 ,  2K002HA13
引用特許:
出願人引用 (2件)

前のページに戻る