特許
J-GLOBAL ID:200903093948305023

ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-142274
公開番号(公開出願番号):特開2005-327789
出願日: 2004年05月12日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
【課題】 いわゆる「スタック型半導体装置」において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等を解消することを目的としている。【解決手段】 本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートは、 基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、 該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120°Cにおける溶融粘度が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120°Cで温度一定とした場合に、溶融粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴としている。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、 該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120°Cにおける溶融粘度 が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120°Cで温度一定とした場合に、溶融 粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴とするダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート。
IPC (8件):
H01L21/301 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (7件):
H01L21/78 M ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 E ,  H01L25/08 Z ,  H01L21/78 Y
Fターム (39件):
4J004AA01 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA15 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004CC03 ,  4J004CD01 ,  4J004DA04 ,  4J004DB03 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DF041 ,  4J040DF051 ,  4J040EB021 ,  4J040EB091 ,  4J040EC001 ,  4J040EK031 ,  4J040FA131 ,  4J040FA241 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040JB09 ,  4J040LA06 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  4J040PA30 ,  4J040PA32 ,  4J040PB16 ,  5F047BA33 ,  5F047BB03 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-179607   出願人:住友金属鉱山株式会社, エヌチップインコーポレイテッド
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-016420   出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (1件)

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