特許

J-GLOBAL ID：200903093950168220

銅ダマシン構造の製造方法およびデュアルダマシン構造

発明者： 塩田 淳 ,  パッツ マティアス ,  関口 学
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110018
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるCMP工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。【解決手段】 銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ1〜100nmの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。

請求項（抜粋）：

銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ1〜100nmの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 M

Fターム (20件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-181186   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-171265   出願人：日本電気株式会社
• 含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019933   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-320114   出願人：ソニー株式会社