半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：寺山啓進 , 三好広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285015
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096090
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】ワイヤボンディング時の機械的ストレスや衝撃により半導体発光層の発光領域にダメージを与えないようにして、発光強度の低下やリーク電流の増大を防止することができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板1とp側電極6及び絶縁層5とは導電性融着層7を介して接合されている。半導体発光層として発光領域を含む窒化物半導体層2が形成されており、窒化物半導体層2の下側には金属からなるp側電極6が形成されている。n側電極は、n側ワイヤボンディング用電極3と補助電極4とで構成されている。n側ワイヤボンディング用電極3は、窒化物半導体層2が形成されている領域と離れた領域に配置されているので、ワイヤボンディング時の衝撃やストレスが窒化物半導体層2に加わらない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板上に、少なくとも、第1電極、発光領域を含む半導体発光層、第2電極が順に積層され、前記第2電極の一部がワイヤボンディング用電極を構成している半導体発光素子において、前記ワイヤボンディング用電極を前記半導体発光層と上下に重ならないように、半導体発光層が形成されている領域から分離した領域に配置したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L21/60 301N

Fターム (5件)：

5F041AA44 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F044EE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

光センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342804 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (10件)

面実装型装置およびこれを用いた発光装置または受光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-361660 出願人：スタンレー電気株式会社
半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-338536 出願人：シャープ株式会社, 澤木宣彦
特開昭62-013089

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