特許

J-GLOBAL ID：200903094014389857

半導体装置及びその製造方法

発明者： 則武 千景 ,  近藤 市治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284498
出願日： 1997年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】フリップチップのバンプ電極部やLSI配線部においてCu膜とバリアメタルとの密着性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】ターゲットとしてチタンを用い、反応性ガスとして窒素ガスを用い、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いた反応性スパッタリングにて、アルミ配線3を有する基板1上に、チタンに対する窒素の組成比を「1.5」以下としたTiN膜5を成膜する。TiN膜5の上に、Cu膜6を成膜する。不要領域のTiN膜5およびCu膜6を除去する。すると、TiN膜5におけるチタンに対する窒素の組成比を「1.5」以下とする半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

電極材料または配線材料であるCu膜と、当該Cu膜のバリアメタルとしてTiN膜を用いた半導体装置において、前記TiN膜におけるチタンに対する窒素の組成比を「1.5」以下としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/92 604 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-131358   出願人：日本電装株式会社
• 集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237815   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253306   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175448   出願人：株式会社東芝